Seite drucken
MRF101BN
HF-FET-Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerNXP
HerstellerteilenummerMRF101BN
Bestellnummer2985309
ProduktpaletteMRF101AN; MRF101BN
Technisches Datenblatt
381 auf Lager
250 Sie können sich jetzt einen Nachschub sichern
1–2 Werktage Lieferzeit
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 23,590 |
| 5+ | € 21,260 |
| 10+ | € 18,920 |
| 50+ | € 17,090 |
| 100+ | € 16,410 |
| 250+ | € 15,740 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 23,59 (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerNXP
HerstellerteilenummerMRF101BN
Bestellnummer2985309
ProduktpaletteMRF101AN; MRF101BN
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds133V
Dauer-Drainstrom Id-
Verlustleistung182W
Betriebsfrequenz, min.1.8MHz
Betriebsfrequenz, max.250MHz
Bauform - TransistorTO-220
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageDurchsteckmontage
ProduktpaletteMRF101AN; MRF101BN
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
These devices are designed for use in VHF/UHF communications, VHF TV broadcast and aerospace applications as well as industrial, scientific and medical applications. The devices are exceptionally rugged and exhibit high performance up to 250 MHz.
- Mirror pinout versions (A and B) to simplify use in a push-pull, two-up configuration
- Characterized from 30 to 50 V
- Suitable for linear application
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
- Included in NXP product longevity program with assured supply for a minimum of 15 years after launch
Anwendungen
Industrie, Kommunikation & Netzwerke
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
133V
Verlustleistung
182W
Betriebsfrequenz, max.
250MHz
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
MRF101AN; MRF101BN
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dauer-Drainstrom Id
-
Betriebsfrequenz, min.
1.8MHz
Bauform - Transistor
TO-220
Betriebstemperatur, max.
175°C
Transistormontage
Durchsteckmontage
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung