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MRFE6VP100HR5
HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-780
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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Produktspezifikationen
HerstellerNXP
HerstellerteilenummerMRFE6VP100HR5
Bestellnummer2776256
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds133VDC
Dauer-Drainstrom Id-
Verlustleistung-
Betriebsfrequenz, min.1.8MHz
Betriebsfrequenz, max.2000MHz
Bauform - TransistorNI-780
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.225°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageFlanschklemme
Produktpalette-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MRFE6VP100HR5 is a RF power LDMOS transistor designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to 2000MHz. It is fabricated using NXP enhanced ruggedness platform and are suitable for use in applications where high VSWRs are encountered.
- Wide operating frequency range
- Extremely rugged
- Unmatched, capable of very broadband operation
- Integrated stability enhancements
- Low thermal resistance and integrated ESD protection circuitry
- 400nAdc max gate source leakage current (VGS = 5Vdc, VDS = 0Vdc)
- 133VDC min drain source breakdown voltage (VGS = 0Vdc, ID = 50mA)
- 10μAdc max zero gate voltage drain leakage current (VDS = 100Vdc, VGS = 0Vdc)
- 27dB max power gain, 70% typ drain efficiency
- NI-780 transistor case style and 225°C max operating temperature
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
133VDC
Verlustleistung
-
Betriebsfrequenz, max.
2000MHz
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dauer-Drainstrom Id
-
Betriebsfrequenz, min.
1.8MHz
Bauform - Transistor
NI-780
Betriebstemperatur, max.
225°C
Transistormontage
Flanschklemme
MSL
-
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.014179