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MRFE6VP5150NR1
HF-FET-Transistor, 133 VDC, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 46,090 |
| 5+ | € 41,940 |
| 10+ | € 37,780 |
| 50+ | € 35,910 |
| 100+ | € 31,430 |
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Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerNXP
HerstellerteilenummerMRFE6VP5150NR1
Bestellnummer2776263
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds133VDC
Dauer-Drainstrom Id-
Verlustleistung952W
Betriebsfrequenz, min.1.8MHz
Betriebsfrequenz, max.600MHz
Bauform - TransistorTO-270WB
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.225°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageFlanschklemme
Produktpalette-
MSLMSL 3 - 168 Stunden
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
133VDC
Verlustleistung
952W
Betriebsfrequenz, max.
600MHz
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dauer-Drainstrom Id
-
Betriebsfrequenz, min.
1.8MHz
Bauform - Transistor
TO-270WB
Betriebstemperatur, max.
225°C
Transistormontage
Flanschklemme
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0003
Produktnachverfolgung