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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
Herstellerteilenummer2N6388G
Bestellnummer2535608
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo80V
Verlustleistung Pd65W
DC-Kollektorstrom10A
Bauform - HF-TransistorTO-220
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE20hFE
TransistormontageDurchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The 2N6388G is an NPN plastic Darlington Silicon Power Transistor designed for general-purpose amplifier and low-frequency switching applications. It features monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors.
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Verlustleistung Pd
65W
Bauform - HF-Transistor
TO-220
DC-Stromverstärkung hFE
20hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
80V
DC-Kollektorstrom
10A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für 2N6388G
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.007106
Produktnachverfolgung