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2SD1624T-TD-H
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Wird nicht mehr hergestellt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
Herstellerteilenummer2SD1624T-TD-H
Bestellnummer3615231
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.50V
Dauerkollektorstrom3A
Verlustleistung500mW
Bauform - TransistorSOT-89
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz150MHz
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
3A
Bauform - Transistor
SOT-89
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
50V
Verlustleistung
500mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
150MHz
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.1