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2SK4177-DL-1E
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 10 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
Herstellerteilenummer2SK4177-DL-1E
Bestellnummer2533169
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds1.5kV
Dauer-Drainstrom Id2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand10ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.-
Verlustleistung80W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
80W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
1.5kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand
10ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
-
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
Technische Dokumente (3)
Zugehörige Produkte
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung