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BC516-D27Z
Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 625 mW, 1 A, TO-226AA, 3 Pin(s)
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| Menge | |
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| 100+ | € 0,105 |
| 500+ | € 0,0973 |
| 1000+ | € 0,0896 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBC516-D27Z
Bestellnummer2453784
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo30V
Verlustleistung Pd625mW
DC-Kollektorstrom1A
Bauform - HF-TransistorTO-226AA
Anzahl der Pins3Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE30000hFE
TransistormontageDurchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
BC516_D27Z ist ein PNP-Darlington-Transistor für Anwendungen, die eine äußerst hohe Stromverstärkung bei Strömen bis 1A erfordern.
- Sperrschicht-Betriebstemperatur: -55 bis 150°C
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Verlustleistung Pd
625mW
Bauform - HF-Transistor
TO-226AA
DC-Stromverstärkung hFE
30000hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
30V
DC-Kollektorstrom
1A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000286