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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBC817-40LT1G
Bestellnummer2317574
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.45V
Dauer-Kollektorstrom500mA
Verlustleistung225mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.250hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
BC817-40LT1G ist ein 45V-NPN-Silizium-Bipolartransistor, der für die Verwendung in linearen Anwendungen und Schaltanwendungen entwickelt wurde. Der Baustein eignet sich für energiesparende SMD-Anwendungen, zum ESD-Schutz, zum Verpolungsschutz, zum Schutz von Datenleitungen sowie zum Schutz von induktiven Lasten und Steuerlogik.
- Halogen-/BFR-frei
- Kollektor-Basis-Spannung (VCBO): 50V
- Emitter-Basis-Spannung (VEBO): 5V
- Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung: 556°C/W
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Sicherheit
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauer-Kollektorstrom
500mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
250hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
45V
Verlustleistung
225mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BC817-40LT1G
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000033
Produktnachverfolgung