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BC846BLT1G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | |
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| 100+ | € 0,0396 |
| 500+ | € 0,0327 |
| 1500+ | € 0,0248 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBC846BLT1G
Bestellnummer1653605
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.65V
Dauer-Kollektorstrom100mA
Verlustleistung300mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.290hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell BC846BLT1G handelt es sich um einen universellen NPN-Silizium-Bipolartransistor für lineare und Schaltanwendungen. Der Transistor ist ideal für energiesparende SMD-Anwendungen.
- Schutz induktiver Lasten
- Steuerungslogik
- Verpolungsschutz
- ESD-Schutz: <gt/>4000V HBM
- ESD-Schutz: <gt/>400V MM
Anwendungen
Audio, Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauer-Kollektorstrom
100mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
290hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
65V
Verlustleistung
300mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Alternativen für BC846BLT1G
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00009
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