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BC858CLT1G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | |
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| 100+ | € 0,0428 |
| 500+ | € 0,0311 |
| 1500+ | € 0,0253 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBC858CLT1G
Bestellnummer1653609
ProduktpaletteBCxxx
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.30V
Dauerkollektorstrom100mA
Verlustleistung225mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.100hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteBCxxx
QualifikationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
BC858CLT1G ist ein universell einsetzbarer PNP-Bipolartransistor zur Verwendung in linearen Anwendungen und Schaltanwendungen. Das Gehäuse des Bausteins ist ausgelegt für SMD-Anwendungen mit geringerer Leistungsaufnahme.
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Fahrzeugelektronik
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauerkollektorstrom
100mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
100hFE
Produktpalette
BCxxx
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
30V
Verlustleistung
225mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BC858CLT1G
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.09
Produktnachverfolgung