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BCW68GLT1G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 800 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 9000+ | € 0,0191 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBCW68GLT1G
Bestellnummer2317823
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.45V
Dauer-Kollektorstrom800mA
Verlustleistung225mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.60hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
BCW68GLT1G ist ein universell einsetzbarer PNP-Bipolartransistor zur Verwendung in linearen Anwendungen und Schaltanwendungen. Das Gehäuse des Bausteins ist ausgelegt für SMD-Anwendungen mit geringerer Leistungsaufnahme.
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauer-Kollektorstrom
800mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
60hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
45V
Verlustleistung
225mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BCW68GLT1G
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.090718
Produktnachverfolgung