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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBSR58
Bestellnummer1467945RL
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.40V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.80mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.4V
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
Betriebstemperatur, max.150°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
BSR58 ist ein n-Kanal-JFET, der eine niedrige Frequenz und ein geringes Rauschen für energiesparende Chopper- oder Schaltanwendungen bietet.
- Drain-Gate-Spannung: 40V
- Gate/Source-Spannung: -40V
- Gate-Durchlassstrom: 50mA
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
40V
Gate-Source-Sperrspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3 Pins
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
80mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Betriebstemperatur, max.
150°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.1
Produktnachverfolgung