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BUX85G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 450 V, 2 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
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| Menge | |
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| 100+ | € 0,414 |
| 500+ | € 0,371 |
| 1000+ | € 0,341 |
| 5000+ | € 0,309 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBUX85G
Bestellnummer1703976
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.450V
Dauerkollektorstrom2A
Verlustleistung50W
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz4MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.4hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The BUX85G is a 450V Silicon NPN Bipolar Power Transistor designed for high voltage and high speed power switching applications like converters, inverters, switching regulators as well as motor control systems.
- Emitter-base voltage (Vcbo = 7V)
Anwendungen
Power-Management, Industrie, Motorantrieb & -steuerung
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
2A
Bauform - Transistor
TO-220
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
4hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
450V
Verlustleistung
50W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
4MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (4)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002
Produktnachverfolgung