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BZX84C15LT1G
Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 50+ | € 0,0596 |
| 100+ | € 0,0297 |
| 500+ | € 0,0288 |
| 1500+ | € 0,0278 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBZX84C15LT1G
Bestellnummer1651578
ProduktpaletteBZX84CxxxLT1G
Zener-Spannung, nom.15V
Verlustleistung225mW
Bauform - DiodeSOT-23
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
DiodenmontageOberflächenmontage
ProduktpaletteBZX84CxxxLT1G
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
BZX84C15LT1G ist eine Z-Diode mit einem Gehäuse aus blasenfreiem Duroplast mit korrosionsbeständigen Oberflächen und direkt verlötbaren Anschlüssen. Dieser Baustein ist ausgelegt für die Spannungsregelung und zeichnet sich durch einen minimalen Platzbedarf aus. Er eignet sich unter anderem für den Einsatz in Mobiltelefonen und tragbaren Geräten sowie auf Leiterplatten mit hoher Bestückungsdichte.
- Polarität wird durch Kathodenband angezeigt
- Flammfest gemäß UL94V-0
- Leckstrom in Sperrrichtung, max.: 0.05µA bei 10.5V
Anwendungen
Unterhaltungselektronik, Tragbare Geräte, Computer & Computerperipheriegeräte
Technische Spezifikationen
Zener-Spannung, nom.
15V
Bauform - Diode
SOT-23
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
BZX84CxxxLT1G
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Verlustleistung
225mW
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Diodenmontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
AEC-Q101
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.08