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BZX84C33LT1G
Zener-Diode, 33 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,114 |
| 50+ | € 0,0572 |
| 100+ | € 0,0286 |
| 500+ | € 0,0276 |
| 1500+ | € 0,0267 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerBZX84C33LT1G
Bestellnummer2317464
ProduktpaletteBZX84CxxxLT1G
Zener-Spannung, nom.33V
Verlustleistung225mW
Bauform - DiodeSOT-23
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
DiodenmontageOberflächenmontage
ProduktpaletteBZX84CxxxLT1G
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Die Produktreihe BZX84CxxxLT1G umfasst Zener-Dioden zur Spannungsregelung mit minimalem Platzbedarf. Diese Dioden sind zur Oberflächenmontage ausgelegt und eignen sich hervorragend für Anwendungen wie Mobiltelefone, tragbare Geräte und Leiterplatten mit hoher Bestückungsdichte.
- Nennleistung: 225mW auf FR-4- oder FR-5-Board
- Kompaktes Gehäuse für Anwendungen mit hoher Bestückungsdichte
- Mit engen Toleranzen erhältlich
- ESD-Schutz: Klasse 3 (<gt/>16kV) nach HBM
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
- Bleifreier Baustein
Anwendungen
Unterhaltungselektronik, Tragbare Geräte
Technische Spezifikationen
Zener-Spannung, nom.
33V
Bauform - Diode
SOT-23
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
BZX84CxxxLT1G
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Verlustleistung
225mW
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Diodenmontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
AEC-Q101
Technische Dokumente (1)
Alternativen für BZX84C33LT1G
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000033
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