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FDB0260N1007L
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDB0260N1007L
Bestellnummer2565222RL
ProduktpalettePowerTrench
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 10+ | € 6,430 |
| 50+ | € 5,890 |
| 100+ | € 4,690 |
| 250+ | € 4,680 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 10
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDB0260N1007L
Bestellnummer2565222RL
ProduktpalettePowerTrench
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id200A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0023ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.8V
Verlustleistung250W
Anzahl der Pins7Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpalettePowerTrench
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
200A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
250W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0023ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.8V
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Produktpalette
PowerTrench
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
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