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FDB060AN08A0
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDB060AN08A0
Bestellnummer3368722RL
ProduktpalettePowerTrench
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 2,020 |
| 500+ | € 1,810 |
| 1000+ | € 1,750 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDB060AN08A0
Bestellnummer3368722RL
ProduktpalettePowerTrench
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds75V
Dauer-Drainstrom Id80A
Drain-Source-Durchgangswiderstand4800µohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung255W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpalettePowerTrench
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
80A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
255W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
75V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
4800µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
PowerTrench
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0032
Produktnachverfolgung