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FDB2532
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 50+ | € 2,520 |
| 100+ | € 2,270 |
| 250+ | € 2,250 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDB2532
Bestellnummer1471029
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds150V
Dauer-Drainstrom Id33A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.016ohm
Bauform - TransistorTO-263AB
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung310W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
FDB2532 ist ein n-Kanal-MOSFET mit PowerTrench®-Technologie, der sich für die Synchrongleichrichtung sowie für Batterie-/Akkuschutzschaltungen, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Mikro-Solarwechselrichter eignet.
- Niedrige Miller-Ladung
- Body-Diode mit niedrigem Qrr
- UIS-fähig (einfacher Puls und repetitiver Puls)
Anwendungen
Power-Management, Unterhaltungselektronik
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
33A
Bauform - Transistor
TO-263AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
310W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.016ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für FDB2532
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002087
Produktnachverfolgung