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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDB44N25TM
Bestellnummer2453392RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds250V
Dauer-Drainstrom Id44A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.069ohm
Bauform - TransistorTO-263AB
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung307W
Anzahl der Pins2Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell FDB44N25TM handelt es sich um einen UniFET™-n-Kanal-Hochspannungs-MOSFET, der basierend auf der Planar-Stripe- und DMOS-Technologie von Fairchild Semiconductor hergestellt wird. Dieser MOSFET ist darauf ausgelegt, den Durchgangswiderstand zu reduzieren sowie eine bessere Schaltleistung und eine höhere Avalanche-Energie zu bieten. Er eignet sich für Schaltwandleranwendungen wie PFC-Schaltungen, FPD-TV und ATX.
- 100% Avalanche-getestet
- Niedrige Gate-Ladung, typ.: 47nC
- Niedrige Crss, typ.: 60pF
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
44A
Bauform - Transistor
TO-263AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
307W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
250V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.069ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001312
Produktnachverfolgung