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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDD16AN08A0
Bestellnummer2453397
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds75V
Dauer-Drainstrom Id50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.016ohm
Bauform - TransistorTO-252AA
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung135W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
Beim Modell FDD16AN08A0 handelt es sich um einen n-Kanal-MOSFET, der mithilfe des PowerTrench®-Verfahrens hergestellt wurde. Dieser MOSFET eignet sich für die Verwendung in Synchrongleichrichtungsanwendungen und Batterie-/Akkuschutzschaltungen.
- Niedrige Miller-Ladung
- Body-Diode mit niedrigem Qrr
- UIS-fähig (einfacher Puls und repetitiver Puls)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
50A
Bauform - Transistor
TO-252AA
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
135W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
75V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.016ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00056
Produktnachverfolgung