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FDD3672
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDD3672
Bestellnummer1495260RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id44A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.024ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung135mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
FDD3672 ist ein n-Kanal-MOSFET, der die UltraFET-Trench-Technologie nutzt und einen optimierten Wirkungsgrad bei hohen Frequenzen bietet. Dieser Baustein ist für Synchrongleichrichtungs-, DC/DC-Wandler- und Offline-USV-Anwendungen geeignet.
- Niedrige Miller-Ladung
- Body-Diode mit niedrigem Qrr
- UIS-fähig (einfacher Puls und repetitiver Puls)
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
44A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
135mW
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.024ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für FDD3672
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000539
Produktnachverfolgung