Seite drucken
FDD6670A
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
5 714 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
1–2 Werktage Lieferzeit
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
Verfügbar, bis der Lagerbestand erschöpft ist.
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,310 |
| 10+ | € 0,961 |
| 100+ | € 0,684 |
| 500+ | € 0,526 |
| 1000+ | € 0,473 |
| 5000+ | € 0,464 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 1,31 (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDD6670A
Bestellnummer1700687
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.008ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.8V
Verlustleistung70W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (23-Jan-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell FDD6670A handelt es sich um einen n-Kanal-MOSFET, der speziell entwickelt wurde, um den Gesamtwirkungsgrad von DC/DC-Wandlern entweder durch synchrone oder herkömmliche PWM-Schaltregler zu verbessern. Der Baustein wurde optimiert für eine niedrige Gate-Ladung, einen äußerst niedrigen RDS(ON) und eine hohe Schaltfrequenz in einem kompakten Gehäuse.
- Niedrige Gate-Ladung
- Hohe Schaltfrequenz
- Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen RDS(ON)
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
15A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
70W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.008ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.8V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000453