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FDMS86350ET80
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 10+ | € 4,820 |
| 50+ | € 4,240 |
| 100+ | € 3,660 |
| 250+ | € 3,590 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDMS86350ET80
Bestellnummer3368752RL
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id198A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.002ohm
Bauform - TransistorPower 56
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.8V
Verlustleistung187W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
198A
Bauform - Transistor
Power 56
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
187W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.002ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.8V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung