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Menge | |
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1+ | € 3,050 |
10+ | € 2,080 |
100+ | € 1,450 |
500+ | € 1,120 |
1000+ | € 1,070 |
5000+ | € 1,010 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell FDMS86500L handelt es sich um einen 60V-n-Kanal-PowerTrench®-MOSFET, der speziell entwickelt wurde, um den Durchgangswiderstand zu minimieren und eine niedrige Gate-Ladung zu erhalten für eine hervorragende Schaltleistung. Der neueste Leistungs-MOSFET für den mittleren Spannungsbereich ist ein optimierter Leistungsschalter, der eine niedrige Gate-Ladung (QG), eine geringe Sperrverzögerungsladung (Qrr) und eine Soft-Reverse-Recovery-Body-Diode kombiniert, wodurch ein schnelles Schalten für die Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen gewährleistet wird. Er verfügt über eine Shielded-Gate-Struktur, die für Ladungsausgleich sorgt. Dank dieser fortschrittlichen Technologie ist die Gütezahl (FOM (QGxRDS(ON))) dieses Bausteins um 66% niedriger im Vergleich zur vorherigen Generation. Durch die Leistung der Soft-Recovery-Body-Diode des neuen PowerTrench®-MOSFET können unerwünschte Spannungsspitzen in Synchrongleichrichtungsanwendungen minimiert werden. Dieses Produkt eignet sich für den universellen Einsatz in vielen verschiedenen Anwendungen.
- 100% UIL-getestet
- Hervorragende Kombination aus Gehäuse und Silizium für niedrigen Durchgangswiderstand RDS(on) und höheren Wirkungsgrad
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
n-Kanal
80A
Power 56
10V
104W
150°C
-
Lead (27-Jun-2024)
60V
0.0021ohm
Oberflächenmontage
1.8V
8Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für FDMS86500L
1 Produkt(e) gefunden
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat