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FDP33N25
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDP33N25
Bestellnummer1324798
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds250V
Dauer-Drainstrom Id33A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.094ohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung235W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell FDP33N25 handelt es sich um einen UniFET™-n-Kanal-Hochspannungs-MOSFET, der basierend auf der Planar-Stripe- und DMOS-Technologie hergestellt wird. Dieser MOSFET ist darauf ausgelegt, den Durchgangswiderstand zu reduzieren sowie eine bessere Schaltleistung und eine höhere Avalanche-Energie zu bieten. Er eignet sich für Schaltwandleranwendungen wie PFC-Schaltungen, FPD-TV, ATX und elektronische Lampenvorschaltgeräte.
- 100% Avalanche-getestet
- Niedrige Gate-Ladung, typ.: 36.8nC
- Niedrige Crss, typ.: 39pF
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
33A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
235W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
250V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.094ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002
Produktnachverfolgung