FDS4435BZ
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 0,895 |
| 10+ | € 0,590 |
| 100+ | € 0,407 |
| 500+ | € 0,328 |
| 1000+ | € 0,275 |
| 5000+ | € 0,220 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell FDS4435BZ handelt es sich um einen -30V-p-Kanal-PowerTrench®-MOSFET, der speziell entwickelt wurde, um den Durchgangswiderstand zu minimieren und eine niedrige Gate-Ladung aufrecht zu erhalten für eine hervorragende Schaltleistung. Dieser Leistungs-MOSFET für den mittleren Spannungsbereich ist ein optimierter Leistungsschalter, der eine niedrige Gate-Ladung (QG), eine geringe Sperrverzögerungsladung (Qrr) und eine Soft-Reverse-Recovery-Body-Diode kombiniert, wodurch ein schnelles Schalten für die Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen gewährleistet wird. Er verfügt über eine Shielded-Gate-Struktur, die für Ladungsausgleich sorgt. Dank dieser fortschrittlichen Technologie ist die Gütezahl (FOM (QGxRDS(ON))) dieses Bausteins um 66% niedriger im Vergleich zur vorherigen Generation. Durch die Leistung der Soft-Recovery-Body-Diode des neuen PowerTrench®-MOSFET können unerwünschte Spannungsspitzen in Synchrongleichrichtungsanwendungen minimiert werden. Dieses Produkt eignet sich für den universellen Einsatz in vielen verschiedenen Anwendungen.
- Erweiterter VGSS-Bereich (-25V) für Batterieanwendungen
- ESD-Schutz, typ.: ± 3.8kV HBM
- Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen RDS(on)
- Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit
Technische Spezifikationen
p-Kanal
8.8A
SOIC
10V
2.5W
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
30V
0.016ohm
Oberflächenmontage
2.1V
8Pin(s)
-
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für FDS4435BZ
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat