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FDS89141
Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDS89141
Bestellnummer2083349
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal100V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal3.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.047ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.047ohm
Bauform - TransistorSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal31W
Verlustleistung, p-Kanal31W
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell FDS89141 handelt es sich um einen zweifachen N-Kanal-Shielded-Gate-MOSFET, der mithilfe des fortschrittlichen PowerTrench®-Verfahrens hergestellt wird und über die Shielded-Gate-Technologie verfügt. Dieses Verfahren wurde optimiert für niedrigen RDS(ON), hohe Schaltleistung und hohe Robustheit. Der Baustein eignet sich für die Verwendung mit Synchrongleichrichtern und Hauptschalten für Brückentopologie-Anwendungen.
- Leistungsstarke Trench-Technologie für äußerst niedrigen RDS(ON)
- Hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit in einem gängigen SMD-Gehäuse
- Gate/Source-Spannung: ± 20V
- Dauer-Drainstrom: 3.5A
- Gepulster Drainstrom: 18A
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
100V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.047ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
31W
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.047ohm
Bauform - Transistor
SOIC
Verlustleistung, n-Kanal
31W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000272
Produktnachverfolgung