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HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDT86102LZ
Bestellnummer2083341
ProduktpalettePowerTrench
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
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250+ | € 0,825 |
1000+ | € 0,527 |
2000+ | € 0,526 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFDT86102LZ
Bestellnummer2083341
ProduktpalettePowerTrench
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.028ohm
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.4V
Verlustleistung2.2W
Anzahl der Pins4Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpalettePowerTrench
Qualifikation-
MSL-
Produktbeschreibung
This N Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advance PowerTrench® process that has been especially tailored to minimise the on state resistance and switch loss. G-S Zener has been added to enhance ESD voltage levels.
- Suitable for DC/DC conversion, inverter and synchronous rectifier
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
6.6A
Bauform - Transistor
SOT-223
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2.2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.028ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.4V
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
PowerTrench
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00044