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FFB5551
Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 0,247 |
| 500+ | € 0,190 |
| 1000+ | € 0,172 |
| 5000+ | € 0,116 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFFB5551
Bestellnummer3368912RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätZweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.160V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN200mA
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP-
Verlustleistung, NPN200mW
Verlustleistung, PNP-
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.30hFE
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.-
Bauform - TransistorSC-70
Anzahl der Pins6Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN300MHz
Übergangsfrequenz, PNP-
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Zweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
-
Verlustleistung, PNP
-
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
-
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
-
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
160V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
200mA
Verlustleistung, NPN
200mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
30hFE
Bauform - Transistor
SC-70
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
300MHz
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0004
Produktnachverfolgung