FFSB1065B-F085

Die Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Dioden nutzen eine vollständig neue Technologie, die eine herausragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bieten. Siliziumkarbid-Dioden haben keinen Sperrverzögerungsstrom, temperaturunabhängige Schalteigenschaften und eine hervorragende thermische Leistung. Damit stellen sie die nächste Generation von Halbleitern dar. Systemvorteile umfassen den höchsten Wirkungsgrad, eine höhere Betriebsfrequenz, eine höhere Leistungsdichte, reduzierte elektromagnetische Störungen (EMI) und eine reduzierte Systemgröße sowie geringere Systemkosten.

• Sperrschichttemperatur, max.: 175°C
• Qualifiziert gemäß AEC-Q101
• Avalanche-fähig: 200mJ
• Keine Reverse-Recovery/keine Forward-Recovery
• Einfache Parallelschaltung
• Hohe Stoßstromfestigkeit
• Positiver Temperaturkoeffizient

Warnungen und Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.