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FGA60N65SMD
IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 6,470 |
| 10+ | € 4,570 |
| 100+ | € 4,140 |
| 500+ | € 3,700 |
| 1000+ | € 3,290 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFGA60N65SMD
Bestellnummer2825136
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom120A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.9V
Verlustleistung600W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.650V
Bauform - TransistorTO-3PN
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
120A
Verlustleistung
600W
Bauform - Transistor
TO-3PN
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.9V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
650V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.007439
Produktnachverfolgung