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FGAF40N60UFTU
IGBT, Universal, 40 A, 6.5 V, 100 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 4,170 |
| 10+ | € 4,080 |
| 100+ | € 2,360 |
| 500+ | € 1,940 |
| 1000+ | € 1,640 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFGAF40N60UFTU
Bestellnummer1885729
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom40A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung6.5V
Verlustleistung100W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.600V
Bauform - TransistorTO-3PF
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell FGAF40N60UFTU handelt es sich um einen PT-IGBT mit niedrigen Leitungs- und Schaltverlusten. Der IGBT der Produktreihe UF ist für Anwendungen wie universelle Wechselrichter und PFC ausgelegt, die eine hohe Schaltfrequenz erfordern.
- Hohe Schaltfrequenz
- Hohe Eingangsimpedanz
- Geringe Sättigungsspannung: 2.3V bei IC = 20A
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Unterhaltungselektronik
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
40A
Verlustleistung
100W
Bauform - Transistor
TO-3PF
Betriebstemperatur, max.
150°C
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
6.5V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
600V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
MSL
-
Technische Dokumente (2)
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Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.006