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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFJP13009H2TU
Bestellnummer1700664
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.400V
Dauerkollektorstrom12A
Verlustleistung100W
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz4MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.8hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
FJP13009H2TU ist ein Hochspannungs-NPN-Epitaxial-Planar-Leistungstransistor mit hoher Schaltfrequenz. Der Baustein FJP13009H2TU ist erhältlich mit mehreren hFE-Klassen. Er wurde entwickelt für Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen und bietet eine hervorragende Verlustleistung.
- Hochspannungsfestigkeit
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Kollektor-Basis-Spannung: 700V
- Emitter-Basis-Spannung: 9V
- Basisstrom: 6A
Anwendungen
Beleuchtung, Power-Management, Motorantrieb & -steuerung
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
12A
Bauform - Transistor
TO-220
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
8hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
400V
Verlustleistung
100W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
4MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00204
Produktnachverfolgung