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FQB19N20LTM
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21 A, 0.14 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,600 |
| 10+ | € 1,290 |
| 100+ | € 0,911 |
| 500+ | € 0,668 |
| 1000+ | € 0,667 |
| 5000+ | € 0,654 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerFQB19N20LTM
Bestellnummer2453431
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds200V
Dauer-Drainstrom Id21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.14ohm
Bauform - TransistorTO-263AB
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung3.13W
Anzahl der Pins2Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
Beim Modell FQB19N20LTM handelt es sich um einen QFET®-n-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp), der mithilfe der Planar-Stripe- und DMOS-Technologie hergestellt wird. Diese fortschrittliche MOSFET-Technologie wurde speziell entwickelt, um den Durchgangswiderstand (RDS(on)) zu reduzieren und gleichzeitig eine herausragende Schaltleistung sowie eine hohe Avalanche-Energie zu gewährleisten. Der MOSFET eignet sich für Schaltnetzteile, die aktive Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und elektronische Lampenvorschaltgeräte.
- 100% Avalanche-getestet
- Niedrige Gate-Ladung, typ.: 31nC
- Niedrige Crss, typ.: 30pF
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
21A
Bauform - Transistor
TO-263AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
3.13W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
200V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.14ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001312
Produktnachverfolgung