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H11G2M
Optokoppler, Darlington-Ausgang, 1 Kanal, DIP, 6 Pin(s), 60 mA, 7.5 kV, 500 %
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| Menge | |
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| 25+ | € 0,410 |
| 50+ | € 0,392 |
| 100+ | € 0,374 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerH11G2M
Bestellnummer2322527
Technisches Datenblatt
Anzahl der Kanäle1 Kanal
Bauform - OptokopplerDIP
Anzahl der Pins6Pin(s)
Durchlassstrom If, max.60mA
Isolationsspannung7.5kV
CTR, min.500%
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo80V
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The H11G2M is a 80V 6-pin DIP high voltage photodarlington-type Optically Coupled Optocoupler consist of gallium arsenide infrared emitting diode coupled with a silicon Darlington connected phototransistor which has an integral base-emitter resistor to optimize elevated temperature characteristics.
- High sensitivity to low input current (minimum 500% CTR at IF= 1mA)
- Low leakage current at elevated temperature (maximum 100μA at 80°C)
Anwendungen
Unterhaltungselektronik, Motorantrieb & -steuerung, Kommunikation & Netzwerke, Sensortechnik, Power-Management
Technische Spezifikationen
Anzahl der Kanäle
1 Kanal
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Isolationsspannung
7.5kV
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
80V
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Optokoppler
DIP
Durchlassstrom If, max.
60mA
CTR, min.
500%
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000907
Produktnachverfolgung