HGT1S10N120BNST
IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 Pin(s)
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 6,580 |
| 10+ | € 6,330 |
| 100+ | € 6,080 |
| 500+ | € 5,830 |
| 1000+ | € 5,580 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell HGT1S10N120BNST handelt es sich um einen n-Kanal-IGBT ohne Sperrschichtberührung (NPT), der sich hervorragend eignet für viele Hochspannungs-Schaltanwendungen mit mäßigen Betriebsfrequenzen, die niedrige Leitungsverluste erfordern, z. B. USV und Solarwechselrichter. Dieser Baustein ist Teil der MOS-Gate-IGBT-Familie für Hochspannungs-Schaltanwendungen. Er kombiniert die besten Funktionen von MOSFET und Bipolartransistoren. Dieser Baustein bietet die hohe Eingangsimpedanz eines MOSFETs und die niedrigen ON-State-Leitungsverluste eines Bipolartransistors.
- Kurzschlussfest
- Avalanche-fähig
- Geringe Versorgungsspannung: 2.45V bei IC = 10A
- Abfallzeit: 140ns bei TJ = 150°C
- Verlustleistung gesamt: 298W bei TC = 25°C
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung
Warnungen und Hinweise
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Technische Spezifikationen
35A
298W
TO-263AB
150°C
-
2.45V
1.2kV
3Pin(s)
Oberflächenmontage
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat