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Menge | |
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500+ | € 0,136 |
1000+ | € 0,125 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerJ111-D26Z
Bestellnummer2453925
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.-35V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.-
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.20mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.-10V
Bauform - TransistorTO-226AA
Anzahl der Pins3 Pins
Betriebstemperatur, max.150°C
TransistortypJFET
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
J111_D26Z ist ein n-Kanal-JFET-Switch, der ausgelegt ist zum Schalten von schwachen Analogsignalen sowie für Sample-and-Hold-Schaltungen und chopper-stabilisierte Verstärker.
- Drain-Gate-Spannung: 35V
- Gate/Source-Spannung: -35V
- Gate-Durchlassstrom: 50mA
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
-35V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
20mA
Bauform - Transistor
TO-226AA
Betriebstemperatur, max.
150°C
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
MSL
-
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
-
Gate-Source-Sperrspannung, max.
-10V
Anzahl der Pins
3 Pins
Transistortyp
JFET
Transistormontage
Durchsteckmontage
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für J111-D26Z
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000529
Produktnachverfolgung