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KSC2383YTA
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1 A, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 50+ | € 0,375 |
| 100+ | € 0,234 |
| 500+ | € 0,181 |
| 1000+ | € 0,162 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerKSC2383YTA
Bestellnummer2453951
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.160V
Dauerkollektorstrom1A
Verlustleistung900mW
Bauform - TransistorTO-92L
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.160hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
KSC2383YTA ist ein NPN-Epitaxial-Silizium-Transistor, der eine Kollektor-Basis-Spannung von 1600V und einen Kollektorstrom von 1A bietet.
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
1A
Bauform - Transistor
TO-92L
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
160hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
160V
Verlustleistung
900mW
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004536
Produktnachverfolgung