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KSC2383YTA
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1 A, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 2000+ | € 0,130 |
| 6000+ | € 0,125 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 2000
Mehrere: 2000
€ 260,00 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerKSC2383YTA
Bestellnummer4319696
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.160V
Dauerkollektorstrom1A
Verlustleistung900mW
Bauform - TransistorTO-92L
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.160hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
1A
Bauform - Transistor
TO-92L
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
160hFE
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
160V
Verlustleistung
900mW
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000534
Produktnachverfolgung