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Menge | |
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100+ | € 0,242 |
500+ | € 0,206 |
1500+ | € 0,185 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
MBR120ESFT1G ist eine Schottky-Gleichrichterdiode im Epoxidgehäuse zur Oberflächenmontage, die das Schottky-Barrier-Prinzip mit einer großflächigen Metall-Silizium-Leistungsdiode verwendet. Diese Diode dient als Niederspannungs- und Hochfrequenzgleichrichter oder als Freilauf- und Verpolungsschutz-Diode. Sie eignet sich für Anwendungen, in denen Größe und Gewicht eine entscheidende Rolle spielen.Das Gehäuse bietet zudem eine praktische Alternative zu Gehäusen des Typs 34 ohne Anschlussdrähte. Aufgrund der kompakten Abmessungen ist der Baustein ideal für die Verwendung in tragbaren und batteriebetriebenen Geräten. Typische Anwendungen umfassen AC/DC- und DC/DC-Wandler, Verpolungsschutz und OR-ing von mehreren Versorgungsspannungen und allen anderen Anwendungen, in denen Leistung und Größe entscheidend sind.
- Kathodenband zur Anzeige der Polarität
- Alle Außenflächen sind korrosionsbeständig
- Schutzring für Überlastschutz
- Niedriger Leckstrom
- Flammfest gemäß UL94V-0
- Entwickelt für optimale automatische Bestückung
Anwendungen
Power-Management, Tragbare Geräte, Kommunikation & Netzwerke, Unterhaltungselektronik, Computer & Computerperipheriegeräte
Technische Spezifikationen
20V
Einfach
2Pin(s)
40A
Oberflächenmontage
AEC-Q101
1A
SOD-123FL
530mV
150°C
MBR12
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat