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MGSF1N02LT1G
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMGSF1N02LT1G
Bestellnummer1216187
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.075ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.7V
Verlustleistung400mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MGSF1N02LT1G is a N-channel miniature surface-mount Power MOSFET with low RDS (ON) assure minimal power loss and conserve energy. The device is ideal for use in space sensitive power management circuitry. It is suitable for DC-to-DC converters, power management in portable and battery-powered products such as printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Miniature surface-mount package saves board space
- -55 to 150°C Operating temperature range
Anwendungen
Tragbare Geräte, Unterhaltungselektronik, Power-Management, Computer & Computerperipheriegeräte, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
750mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
400mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.075ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.7V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Alternativen für MGSF1N02LT1G
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000181
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