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MJ11016G
Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, TO-3, 2 Pin(s)
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| 500+ | € 2,790 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJ11016G
Bestellnummer9556583
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo120V
Verlustleistung Pd200W
DC-Kollektorstrom30A
Bauform - HF-TransistorTO-3
Anzahl der Pins2Pin(s)
DC-Stromverstärkung hFE200hFE
TransistormontageDurchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.200°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MJ11016G ist ein bipolarer 120V-Silizium-NPN-Darlington-Leistungstransistor zur Verwendung als Ausgangsbaustein in komplementären, universellen Verstärkeranwendungen. Der Transistor weist eine monolithische Konstruktion mit integrierten Basis-Emitter-Messwiderständen auf.
- Hohe DC-Stromverstärkung
- Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo = 120V)
- Emitter-Basis-Spannung (Vebo = 5V)
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Verlustleistung Pd
200W
Bauform - HF-Transistor
TO-3
DC-Stromverstärkung hFE
200hFE
Betriebstemperatur, max.
200°C
Qualifikation
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
120V
DC-Kollektorstrom
30A
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.011793