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MJD112T4G
Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJD112T4G
Bestellnummer2533156RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.100V
Dauerkollektorstrom2A
Verlustleistung20W
Anzahl der Pins3Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.200hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MJD112T4G is a 2A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
- Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
- Complementary pairs simplifies designs
- Surface-mount replacements for TIP110 to TIP117 series
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Fahrzeugelektronik, Signalverarbeitung
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
2A
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
200hFE
Produktpalette
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
100V
Verlustleistung
20W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MJD112T4G
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000426
Produktnachverfolgung