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MJE5730G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | € 0,771 |
| 100+ | € 0,681 |
| 500+ | € 0,571 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJE5730G
Bestellnummer2845312
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.300V
Dauer-Kollektorstrom1A
Verlustleistung40W
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz10MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.10hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauer-Kollektorstrom
1A
Bauform - Transistor
TO-220
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
10hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
300V
Verlustleistung
40W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
10MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002041
Produktnachverfolgung