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MJW21194G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250V, 16A, 200W, TO-247, Durchsteckmontage
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| Menge | |
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| 10+ | € 3,980 |
| 100+ | € 3,090 |
| 500+ | € 2,300 |
| 1000+ | € 2,250 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMJW21194G
Bestellnummer1703989
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.250V
Dauerkollektorstrom2A
Verlustleistung200W
Bauform - TransistorTO-247
TransistormontageDurchsteckmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz4MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.20hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MJW21194G is a 16A NPN bipolar complementary Audio Power Transistor utilizes Perforated Emitter technology. It is specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.
- Total harmonic distortion characterized
- Excellent gain linearity
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Audio
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauerkollektorstrom
2A
Bauform - Transistor
TO-247
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
20hFE
Produktpalette
-
MSL
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
250V
Verlustleistung
200W
Transistormontage
Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz
4MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.005
Produktnachverfolgung