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MMBF4391LT1G
JFET-Transistor, JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
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| Menge | |
|---|---|
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| 50+ | € 0,228 |
| 100+ | € 0,136 |
| 500+ | € 0,130 |
| 1500+ | € 0,110 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBF4391LT1G
Bestellnummer1431329
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.30V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.150mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.50mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.10V
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
TransistortypJFET
Betriebstemperatur, max.150°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
30V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
50mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Transistortyp
JFET
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
150mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.
10V
Anzahl der Pins
3 Pins
Betriebstemperatur, max.
150°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008
Produktnachverfolgung