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MMBFU310LT1G
JFET-Transistor, JFET, 25 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
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| Menge | |
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| 50+ | € 0,225 |
| 100+ | € 0,133 |
| 500+ | € 0,124 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBFU310LT1G
Bestellnummer1431342
Technisches Datenblatt
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.25V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.24mA
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.60mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.6V
Bauform - TransistorSOT-23
Anzahl der Pins3 Pins
TransistortypJFET
Betriebstemperatur, max.150°C
Kanaltypn-Kanal
TransistormontageOberflächenmontage
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
The MMBFU310LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life. The device is encapsulated in a surface-mount package which saves board space.
- 25V Drain-source voltage
- 25V Gate-source voltage
- 10mA Gate current
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.
25V
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.
60mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Transistortyp
JFET
Kanaltyp
n-Kanal
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.
24mA
Gate-Source-Sperrspannung, max.
6V
Anzahl der Pins
3 Pins
Betriebstemperatur, max.
150°C
Transistormontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MMBFU310LT1G
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008
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