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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBT2222AWT1G
Bestellnummer2317589
ProduktpaletteMMBTxxxx
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.40V
Dauer-Kollektorstrom600mA
Verlustleistung150mW
Bauform - TransistorSOT-323
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz300MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.35hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMMBTxxxx
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MMBT2222AWT1G ist ein NPN-Bipolartransistor für universelle Verstärkeranwendungen. Das Gehäuse ist für energiesparende SMD-Anwendungen ausgelegt.
- Niedriger RDS (ON) für einen höheren Wirkungsgrad und eine längere Batterielebensdauer
- Gehäuse spart Platz auf der Leiterplatte
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Fahrzeugelektronik
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauer-Kollektorstrom
600mA
Bauform - Transistor
SOT-323
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
35hFE
Produktpalette
MMBTxxxx
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
40V
Verlustleistung
150mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
300MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für MMBT2222AWT1G
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000006
Produktnachverfolgung