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MMBT2907AWT1G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 100+ | € 0,0525 |
| 500+ | € 0,0391 |
| 1500+ | € 0,0325 |
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Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBT2907AWT1G
Bestellnummer2317593
ProduktpaletteMMBTxxxx
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.60V
Dauer-Kollektorstrom600mA
Verlustleistung150mW
Bauform - TransistorSOT-323
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz200MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.50hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteMMBTxxxx
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MMBT2907AWT1G ist ein PNP-Bipolartransistor für universelle Verstärkeranwendungen. Das Gehäuse ist für energiesparende SMD-Anwendungen ausgelegt.
- Halogenfrei
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
Anwendungen
Industrie, Power-Management, Fahrzeugelektronik
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauer-Kollektorstrom
600mA
Bauform - Transistor
SOT-323
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
50hFE
Produktpalette
MMBTxxxx
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
60V
Verlustleistung
150mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
200MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000006
Produktnachverfolgung