Seite drucken
MMBT3904TT1G
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 200 mA, 300 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
24 018 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
1–2 Werktage Lieferzeit
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,126 |
| 50+ | € 0,0867 |
| 100+ | € 0,0526 |
| 500+ | € 0,0399 |
| 1500+ | € 0,0321 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
€ 0,63 (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerONSEMI
HerstellerteilenummerMMBT3904TT1G
Bestellnummer1459101
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.40V
Dauer-Kollektorstrom200mA
Verlustleistung300mW
Bauform - TransistorSOT-416
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz300MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.300hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktbeschreibung
MMBT3904TT1G is a NPN silicon, surface mount, general purpose transistor.
- Collector-emitter breakdown voltage is 40VDC min (TA = 25°C, IC = 1.0mAdc, IB = 0)
- Collector-base breakdown voltage is 60VDC min (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25°C)
- Emitter-base breakdown voltage is 6.0VDC min (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25°C)
- Collector current - continuous is 200mAdc max (TA = 25°C)
- Total Device Dissipation FR-5 Board is 200mW max (TA = 25°C)
- Thermal resistance junction-to-ambient is 600°C/W max (TA = 25°C)
- Cutoff frequency is 100mHz min (IC = -100mA, VCE = -5.0V, f = 100MHz, TA = 25°C)
- Noise figure is 5.0dB max (VCE = 5.0VDC, IC = 100ADC, RS = 1.0kohm, f = 1.0KHz)
- SOT-416 package
- Junction temperature range from -65 to +150°C
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauer-Kollektorstrom
200mA
Bauform - Transistor
SOT-416
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
300hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
40V
Verlustleistung
300mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
300MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische Dokumente (1)
Alternativen für MMBT3904TT1G
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004536